1、WLCSP是什么？

WLCSP（Wafer Level Chip Scale Package，晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝）是一種先進(jìn)的集成電路封裝技術(shù)，其特點(diǎn)是直接在晶圓上完成封裝，最終封裝尺寸接近芯片本身的大小。這種技術(shù)通過(guò)在晶圓上進(jìn)行重新布線和凸點(diǎn)制造，實(shí)現(xiàn)高密度互聯(lián)和小型化封裝，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子和高性能計(jì)算領(lǐng)域。

2、WLCSP的分類？

扇入型晶圓級(jí)芯片封裝（Fan - In WLCSP）：引腳從芯片四周引出，呈扇形引入到芯片底部，具有尺寸小、成本低、散熱性好等特點(diǎn)，但引腳數(shù)量較少，無(wú)法實(shí)現(xiàn)高集成度芯片封裝。

扇出型晶圓級(jí)芯片封裝（Fan - Out WLCSP）：引腳從芯片底部引出，呈扇形引出到芯片外部，引腳數(shù)量多，電路設(shè)計(jì)靈活，能夠?qū)⒍鄠€(gè)芯片封裝為一體，在滿足小尺寸要求的同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)更高集成度。

3、WLCSP工藝Flow

1. 晶圓準(zhǔn)備

晶圓清洗：去除表面的顆粒、有機(jī)物和金屬殘留。

表面處理：通過(guò)化學(xué)或物理方法改善晶圓表面的附著性能。

2. 鈍化層沉積

在晶圓表面沉積一層鈍化材料（如SiO?或SiN），用于保護(hù)內(nèi)部電路并提供絕緣。常用方法：PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積）。

3. 焊盤開(kāi)窗

使用光刻技術(shù)在鈍化層上開(kāi)窗，露出鋁焊盤。通過(guò)濕法蝕刻或干法蝕刻實(shí)現(xiàn)精確圖案化。

4. 重新布線（RDL, Redistribution Layer）

在晶圓表面制作重新布線層，將原本分散的小焊盤重新排列成更大的焊盤陣列。步驟如下，首先沉積導(dǎo)電材料（如銅或鋁），其次刻蝕形成所需的布線圖案，最后表面鈍化處理。

5. 凸點(diǎn)下金屬化（UBM, Under Bump Metallization）

在重新布線層的焊盤表面沉積一層或多層金屬薄膜，用于提高焊球與焊盤之間的粘附力和導(dǎo)電性。常見(jiàn)材料：Ti/Cu/Ni/Au。

6. 焊球植球

將焊球（如SnAgCu合金焊球）放置在重新布線層的焊盤上。焊球可以通過(guò)印刷法、電鍍法或回流焊接法固定。

7. 晶圓切割

使用激光切割或劃片機(jī)將封裝好的晶圓分割成單個(gè)芯片。注意保持切割路徑不會(huì)破壞芯片功能。

8. 成品測(cè)試

對(duì)切割后的單個(gè)芯片進(jìn)行電氣性能測(cè)試和外觀檢查。測(cè)試內(nèi)容包括導(dǎo)通性、絕緣性、焊球位置偏差等。

9. 最終封裝

將合格的芯片裝入最終的包裝載體中（如塑料封裝體或玻璃基板）。進(jìn)行密封處理以防止外界環(huán)境的影響。