在追求更高性能、更小尺寸和更低功耗的半導體行業浪潮中，三維集成技術已成為推動摩爾定律持續前行的關鍵路徑。在眾多3D封裝方案中，根據集成方式和工藝順序的不同，衍生出了幾種主流的先進封裝技術，它們以其獨特的結構和流程，共同支撐起現代異構計算的宏偉藍圖。
PoP：Package-on-Package Assembly/堆疊封裝
實現 3D 集成的較簡單方案之一，是將已完成封裝的芯片進行堆疊。這類方案的技術名稱中通常包含 “PoP”（即 “封裝堆疊”）。該技術的一個典型應用場景是將 DRAM 芯片堆疊在邏輯芯片上方，臺積電（TSMC）的 InFO 封裝技術中，就包含此類堆疊方案。
CoW：Chip on Wafer Assembly/晶圓級芯片集成
在封裝中實現芯片互連的早期方案之一，是采用晶圓作為載體，并在其上制作重布線層（RDL），臺積電將該技術品牌化為 “CoW”（晶圓級芯片集成）。以下介紹兩種典型的組裝流程方案：
第一種方案的流程為：先在載體晶圓上制作重布線層（RDL），再將預先切割好的芯片（焊凸朝下）放置在載體上；隨后對芯片進行塑封，形成 “重構晶圓”（reconstituted wafer）；之后移除載體晶圓，制作焊球，最后對重構晶圓進行切割（ singulate），得到獨立封裝體。
另一種方案的流程則不同：先將芯片倒扣在載體晶圓上，再進行塑封；移除載體晶圓后，制作重布線層與焊球；最后對重構晶圓進行切割，完成封裝。
英特爾（Intel）的 Foveros 工藝是該技術的另一變體，主要用于實現兩顆芯片（或一顆芯片與一個有源中介層）的面對面鍵合。其中，下方芯片需朝上放置，并通過硅通孔（TSV）與基板實現連接。
加入中介層（Adding Interposers）
前文介紹的方案僅通過重布線層（RDL）實現信號向焊球的布線。若在封裝中加入中介層，則能進一步提升布線靈活性。臺積電的 CoWoS（晶圓級系統集成封裝）是最知名的案例之一，該技術根據中介層的類型分為三個變體：
CoWoS-S：采用硅中介層；
CoWoS-R：采用有機材料制作重布線層（無獨立中介層，以有機 RDL 替代中介層功能）；
CoWoS-L：采用小型芯片作為 “布線載體”—— 其結構類似硅橋（silicon bridge），但額外具備通向基板的通孔（vias），可直接與基板連接。
總結：
從簡單的封裝堆疊（PoP），到以晶圓為載體的芯片集成（CoW），再到引入中介層以極致發揮布線潛力的CoWoS技術，先進封裝的演進清晰地展示了一條從二維到三維、從單一到異構的系統級整合路徑。這些技術不僅突破了傳統封裝的物理限制，更通過靈活的芯片組合，為未來算力提供了無限可能。它們共同構成了半導體產業的下一個前沿，預示著電子系統性能與集成度的新紀元。
